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杨沁玉

基本信息姓名杨沁玉
系室应用物理系
职称副教授
联系方式见黄页
电子邮件yangqinyu@dhu.edu.cn
研究方向物理教学,低温等离子体应用
个人简介2001年8月   进入东华大学365体育官方唯一入口工作,先后讲授量子物理,大学物理(卓越班),大学物理基础等课程。
2005年   上海市科技进步二等奖
2010年   东华大学青年教师讲课竞赛二等奖
2014年   东华大学促就业先进个人
2019年   东华大学优秀毕业论文指导教师
学习经历起止年月学校专业学位/学历
2006/09-2011/06东华大学材料学院材料科学与工程博士/研究生
1998/09-2001/06河南师范大学物理与信息工程学院原子与分子物理硕士/研究生
1994/09-1998/06河南师范大学物理与信息工程学院物理教育学士
工作经历起止年月单位职称/职务
2001/08-2003/08东华大学365体育官方唯一入口助教
2003/09-2011/08东华大学365体育官方唯一入口讲师
2011/09-至今东华大学365体育官方唯一入口副教授
2012/11-2013/12美国马里兰大学电子与应用物理研究所访问学者
教学成果课程名称
量子物理,大学物理,大学物理基础,少数民族预科班物理
科研成果研究名称
场偏置常压低温等离子体对柔性基质硅基网孔发光薄膜结构的调控机制,国家自然基金,2008,1—2010,12,项目编号:10775031,第二参加人
常压PECVD沉积硅基纳米复合镶嵌薄膜的研究 ,中央中央高校基本科研业务费专项资金项目, 2010,1—2010,12,项目负责人
常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法,企业横向项目, 2010,5—2015,4,项目负责人
代表性论文&科研
[1] 陆爱江,杨沁玉,伍滨和,物理专业课程的导游式教学探索,物理通报,2019-07-001
[2] 陆爱江,杨沁玉,伍滨和,值得举一反三的一维阶梯势问题,物理通报,2018-07-005
[3] 杨沁玉,张菁,程萍,原位退火对Si纳米晶颗粒薄膜性质的影响,纳米加工工艺 ,12(1) 2015年
[4]  Qinyu Yang, Dexin Wang, Ying Guo,Ke Ding, Jing Zhang, The effect of annealing on the photoluminescence of porous SiO2 films deposited by APECVD, Integrated Ferroelectrics. 135:89–93, 2012(SCI&EI收录,第一作者)
[5] 邵宇光,杨沁玉 *,王德信,石建军,徐金洲,郭颖,张菁,射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响,东华大学学报(自然科学版),38(2):6-10,2012(核心期刊,通信作者)
[6] Q Y Yang, D X Wang, Y Guo, K Ding, J Z Xu, J J Shi and J Zhang,Photoluminescent Si/SiOx nanoparticle network by near atmospheric plasma-enhanced chemical vapour deposition,J. Phys. D: Appl. Phys. 44: 445201,2011(SCI&EI收录,第一作者)
[7] YANG QINYU, WANG DEXIN, DING KE,ZHANG JING, AND WANG QINGRUI,The Effect of Negative Bias Voltage on Porous Silica Films Photoluminescence,Integrated Ferroelectrics, 129:10–17, 2011(SCI&EI收录,第一作者)
[8] Dexin Wang , Qingyu Yang , Ying Guo , Xiaohu Liu , Jianjun Shi , Jing Zhang,One step growth of TiO2 crystal trees by atmospheric pressure plasma jet,Materials Letters 65: 2526–2529,2011(SCI&EI收录,第二作者)
代表性专利&其他
1.常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法,中华人民共和国发明专利,专利号:ZL200710045785.4 授权公告日:2010年3月24日,本人排名:第一
2.全光纤型光纤光栅多参量传感系统,中华人民共和国发明专利 ,专利号:200610119352.4 授权公告日:2006年12月8日,本人排名:第二
3.多参量光学传感器,中华人民共和国实用新型专利,专利号:ZLGL2006120216 ,授权公告日:2008年3月12日,本人排名:第二